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CEP14G04	文件：425.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 40V, 140A, RDS(ON) = 3.6mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.5mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：425.09 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP14G04	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEU14G04	文件：421.37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：421.37 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEB14G04	文件：425.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 40V, 140A, RDS(ON) = 3.6mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.5mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：425.09 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CED14G04	文件：421.37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：421.37 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
40
Rds(on)mΩ@10V：
3.6
Rds(on)mΩ@4.5V：
6.5
ID(A)：
140
Qg(nC)@10V(typ)：
50
RθJC(℃/W)：
1.5
Pd(W)：
100
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	CEP14G04	CET/華瑞	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEP15A03	SR	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	CEP15A03	CET	25+	TO-220	53730	原装正品,假一罚十!	询价

更多CEP14G04供应商更新时间2025-10-9 11:00:00

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