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CEM23189	文件：866.83 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) 20V,8A,RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. FEATURES -30V,-7A,RDS(ON)=26mW@VGS=-10V. RDS(ON)=40mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=26mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM2401	文件：410.99 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-20V,-6A,RDS(ON)=44mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM2401	文件：617.27 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-6A,RDS(ON)=44mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=65mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM2407	文件：648.94 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V,-5.3A,RDS(ON)=45mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=65mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM2539A	文件：621.57 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES ■20V,7.5A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=25mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-4A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V. ■S	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM2539B	文件：834.59 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) 20V,7.5A, FEATURES RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. -20V,-4A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(O	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM26138	文件：577.71 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,7.6A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=33mΩ@VGS=4.5V. ■20V,6A,RDS(ON)=27mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lea	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM26138	文件：966.26 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,7.6A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. RDS(ON)=33mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. 20V,6A,RDS(ON)=27mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM2939	文件：462.97 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES ■20V,6.5A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=43mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-4.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabi	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM2939	文件：923.95 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 20V,6.5A,RDS(ON)=30mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=43mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. -20V,-4.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=90mW@VGS=-2.5V. Lead-freeplating;R	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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