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TS1910ACSRLG	文件：188.43 Kbytes Page：8 Pages	680kHz/1.2MHzHighVoltageBoostConverter GeneralDescription TheTS1910Aisahighperformance,highefficiencystepupDC-DCConverterwithintegrated2A.TheTS1910Aconverterinputvoltagerangingfrom2.6to5.5V.TheOutputvoltagecanbesetupto27V.Theselectablefrequencyof680kHzand1.2MHzallowstheuseofsmallexternal	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS1910CSRLG	文件：188.12 Kbytes Page：8 Pages	680kHz/1.2MHzHighVoltageBoostConverter	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
UC1910	文件：250.12 Kbytes Page：7 Pages	4-BitDACandVoltageMonitor	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
UC1910	文件：222.85 Kbytes Page：6 Pages	4-BitDACandVoltageMonitor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UM1910	文件：1.04567 Mbytes Page：12 Pages	GettingstartedwiththehighpowersteppermotordriverexpansionboardbasedonpowerSTEP01forSTM32Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
UPA1910	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA1910	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1910TE	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1910TE	文件：445.15 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1910TE	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
VDA1910CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA1910NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VHF-1910	文件：104.14 Kbytes Page：4 Pages	HighPassFilters850to7000MHz	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
VLL1910	文件：121.73 Kbytes Page：1 Pages	DiodeLimiter	CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi	CPI
W1910	文件：642.52 Kbytes Page：4 Pages	PentaBandStubbyAntenna	pulse Pulse Electronics	pulse

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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