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UC1910	文件：222.85 Kbytes Page：6 Pages	4-Bit DAC and Voltage Monitor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC1910	文件：250.12 Kbytes Page：7 Pages	4-Bit DAC and Voltage Monitor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC1910_08	文件：250.12 Kbytes Page：7 Pages	4-Bit DAC and Voltage Monitor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UM1910	文件：1.04567 Mbytes Page：12 Pages	GettingstartedwiththehighpowersteppermotordriverexpansionboardbasedonpowerSTEP01forSTM32Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA1910	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1910	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1910TE	文件：230.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1910TE	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1910isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA1910featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1910TE	文件：445.15 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VDA1910CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

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