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BUZ346	文件：348.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 58A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.018Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：348.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ346	文件：155.09 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：155.09 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ346	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)	Infineon 英飞凌	Infineon
BUZ346S2	文件：154.89 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：154.89 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ346S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)	Infineon 英飞凌	Infineon

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