| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220 |
30000 |
25+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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18年
留言
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BUZ732000 |
2000 |
25+ |
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16年
留言
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2282 |
23+ |
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10年
留言
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SIENA |
10262 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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6年
留言
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恩XPTO-220 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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17年
留言
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INFINEONP-TO220-3-1 |
8866 |
24+ |
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18年
留言
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西门子TO220 |
882 |
17+ |
全新 发货1-2天 |
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12年
留言
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InfineonTO-220 |
6200 |
17+ |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
7621 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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13年
留言
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SIEMENS/西门子NA |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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11年
留言
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INFINEONTO-220 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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13年
留言
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INFINE0NTO-220-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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6年
留言
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Infineon(英飞凌)封装 |
500000 |
25+ |
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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6年
留言
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ADITO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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BUZ73图片
BUZ73H3046价格
BUZ73H3046价格：￥3.4054品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BUZ73H3046多少钱，想知道BUZ73H3046价格是多少？参考价：￥3.4054。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUZ73H3046批发价格及采购报价，BUZ73H3046销售排行榜及行情走势，BUZ73H3046报价。
BUZ73中文资料Alldatasheet PDF
更多BUZ73功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73 E3046功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BUZ73 H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73 H3046功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73A功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73A E3046功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BUZ73A H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73A H3046功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73AE3046XK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
BUZ73AH3046XKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
