| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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10年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220 |
30000 |
26+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
10048 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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8年
留言
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InfineonTO-220 |
812 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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17年
留言
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Infineon原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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16年
留言
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SIEMTO220 |
3557 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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15年
留言
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inf |
13523 |
2602+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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7年
留言
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INFINEONTO220-3 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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INTERSILTO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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17年
留言
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1100 |
24+ |
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1年
留言
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INFINEONTO-220 |
1808 |
2122+/20+ |
全新原装公司现货 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
30000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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5年
留言
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INFINEONTO-220 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
8000 |
24+ |
新到现货，只做全新原装正品 |
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1年
留言
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InfineonTO-220 |
28000 |
25+ |
原装正品，可来电咨询 |
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10年
留言
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INFINEONQFN |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
BUZ73A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BUZ73AH价格
BUZ73AH价格：￥6.5480品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BUZ73AH多少钱，想知道BUZ73AH价格是多少？参考价：￥6.5480。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUZ73AH批发价格及采购报价，BUZ73AH销售排行榜及行情走势，BUZ73AH报价。
BUZ73A中文资料Alldatasheet PDF
更多BUZ73A功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73A E3046功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BUZ73A H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73A H3046功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73AE3046XK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
BUZ73AH3046XKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
BUZ73AHXK制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
BUZ73AHXKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
BUZ73AL功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ73AL H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
