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BUZ385	文件：349.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 9.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.8Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：349.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ385	文件：155.55 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET) SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • FREDFET 文件：155.55 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ385	文件：102.34 Kbytes Page：4 Pages	Enhancement mode 文件：102.34 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BUZ385	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多BUZ385供应商更新时间2026-4-17 10:01:00