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BUZ353	文件：348.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 9.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：348.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ353	文件：181.11 Kbytes Page：6 Pages	main ratings SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) 文件：181.11 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ353	文件：300 bytes Page：1 Pages	main ratings	Infineon 英飞凌	Infineon
NJM353	文件：266.72 Kbytes Page：7 Pages	DUAL J-FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：266.72 Kbytes 页数：7 Pages	NJRC 日本无线	NJRC
NJM353D	文件：266.72 Kbytes Page：7 Pages	DUAL J-FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：266.72 Kbytes 页数：7 Pages	NJRC 日本无线	NJRC
NJM353M	文件：266.72 Kbytes Page：7 Pages	DUAL J-FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：266.72 Kbytes 页数：7 Pages	NJRC 日本无线	NJRC

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