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BTS410D2	文件：182.32 Kbytes Page：14 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitatio	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS410-D2	文件：182.32 Kbytes Page：14 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitatio	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS410D2E3043	文件：182.32 Kbytes Page：14 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitatio	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS410D2E3062A	文件：182.32 Kbytes Page：14 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitatio	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS410E	文件：403.14 Kbytes Page：12 Pages	High-side switch PROFET® High-sideswitch Short-circuitprotection Overtemperatureprotection Overloadprotection Loaddumpprotection?) Undervoltageandovervollaﬂesshutdownwithauto-restartandhysteresis Reversebatteryprotection Inputandstatusprotection *Clampofnegativeoutput	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS410E2	文件：168.99 Kbytes Page：14 Pages	Smart Highside Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Thermal shutdown) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Sh	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS410E2	文件：321.27 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Shortcircu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS410E2	文件：324.66 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Shortcircu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS410E2E3043	文件：324.66 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Shortcircu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS410E2E3062A	文件：324.66 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Shortcircu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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技术参数

VDS max：
60.0V
IL ：
3.5A
RDS (on)(@ Tj = 25°C) ：
100.0mΩ
IL(LIM) min：
7.0A
ton max：
70.0µs
toff max：
150.0µs
Operating Temperature min max：
-40.0°C 150.0°C
Mounting ：
THT
Family ：
HITFET
ID ：
3.5A
ID(lim) min：
7.0A
Ptot max：
50.0W

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