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BTS410D2E3062A	文件：182.32 Kbytes Page：14 Pages	Smart Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOStechnology. Fully protected by embedded protection functions. Features •Overload protection •Current limitatio 文件：182.32 Kbytes 页数：14 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
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详细参数

型号：
BTS410D2E3062A
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Smart Highside Power Switch

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