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BTS410E2	文件：324.66 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：324.66 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2	文件：321.27 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：321.27 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2	文件：168.99 Kbytes Page：14 Pages	Smart Highside Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Thermal shutdown) General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions. Features • Overload protection • Current limitation • Sh 文件：168.99 Kbytes 页数：14 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BTS410E2	文件：418.63 Kbytes Page：15 Pages	Fast demagnetization of inductive loads 文件：418.63 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2E3043	文件：324.66 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：324.66 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2E3062A	文件：324.66 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：324.66 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2-E3062A	文件：324.66 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：324.66 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2_13	文件：418.63 Kbytes Page：15 Pages	Fast demagnetization of inductive loads 文件：418.63 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2 E3062A	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级智能高边开关 \| PROFET™ 高边功率开关，集成了垂直功率 FET，提供嵌入式保护和诊断功能。 • 过载保护\n• 电流限制\n• 短路保护\n• 热关断\n• 过压保护（包括负载突降）\n• 感应负载的快速去磁\n• 反向电池保护1)\n• 具有自动重启和磁滞的欠压和过压关断\n• 开漏诊断输出\n• ON 状态下的开路负载检测\n• 兼容 CMOS 的输入\n• 接地损失和Vbb保护损失\n• 静电放电 (ESD) 保护\n• 环保产品（符合 RoHS）\n• AEC 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS410E2E3043NKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-5；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO220-5	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

RDS (on)(@ Tj = 150°C) max：
440.0mΩ
RDS (on)(@ Tj = 25°C) ：
190.0mΩ
Recommended Operating Voltage min max：
4.7V 42.0V
IL(Short Circuit Current) ：
5.0A
Diagnostics ：
Digital
ton(Turn ON time) max：
125.0µs
toff(Turn OFF time) max：
85.0µs
Operating Temperature min max：
-40.0°C 150.0°C
Family ：
Classic PROFET
Nominal Load Current per channel(All channels active) ：
1.8A

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更多BTS410E2供应商更新时间2025-10-7 14:03:00

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