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BSM200GA120DN2	文件：208.09 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module IGBT Power Module • Single switch • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：208.09 Kbytes 页数：11 Pages	EUPEC	EUPEC
BSM200GA120DN2	文件：207.662 Kbytes Page：11 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM200GA120DN2 文件：207.662 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
BSM200GA120DN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module IGBT Power Module• Single switch\n• Including fast free-wheeling diodes\n• Package with insulated metal base plate	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM200GA120DN2S	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSM200GA120DN2S	文件：208.09 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module IGBT Power Module • Single switch • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：208.09 Kbytes 页数：11 Pages	EUPEC	EUPEC
BSM200GA120DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 300A 1550W	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
BSM200GA120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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