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厂商型号

BSM200GA120DN2S

功能描述

HighSpeed 2-Technology

文件大小

201.5 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 22:50:00

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BSM200GA120DN2S规格书详情

• Designed for:

- TV – Horizontal Line Deflection

• 2nd generation HighSpeed-Technology

for 1200V applications offers:

- loss reduction in resonant circuits

- temperature stable behavior

- parallel switching capability

- tight parameter distribution

- Eoff optimized for IC =3A

- simple Gate-Control

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

  • 型号:

    BSM200GA120DN2S

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V 200A SINGLE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
200A,1200V
20000
全新原装假一赔十
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原厂原封可拆样
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全新原装现货
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只做原装,可提供样品
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200A/1200V/I
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全新原装、诚信经营、公司现货销售
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2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
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