订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
BSM200GA120DN2S_INFINEON/英飞凌_IGBT 晶体管 1200V 200A SINGLE上海意淼
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
BSM200GA120DN2S
- 功能描述:
IGBT 晶体管 1200V 200A SINGLE
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- BSM200GA120DNS
- BSM200GA120DN2FS
- BSM200GA120ND2_E3256
- BSM200GA12DLC
- BSM200GA120DN2F
- BSM200GA160D
- BSM200GA120DN2C
- BSM200GA160DA10
- BSM200GA120DN2/DLC
- BSM200GA160DN11S
- BSM200GA120DN2(DLC)
- BSM200GA160DN1S
- BSM200GA120DN2
- BSM200GA170DLC
- BSM200GA120DN11S
- BSM200GA170DLC_S4
- BSM200GA120DN11A10
- BSM200GA170DLCC
- BSM200GA120DN11
- BSM200GA170DLCHOSA1
- BSM200GA120DN1
- BSM200GA120DLCSHOSA1
- BSM200GA170DLC-SERIE
- BSM200GA120DLCSE3256
- BSM200GA170DN
- BSM200GA170DN2
- BSM200GA170DN2(DLC)
- BSM200GA120DLCS
- BSM200GA170DN2/DLC
- BSM200GA120DLCHOSA1
- BSM200GA170DN2C
- BSM200GA170DN2S
- BSM200GA120DLCC
- BSM200GA170DN2SC
- BSM200GA120DLC
- BSM200GA170DN2SE3256
- BSM200GA120DL
- BSM200GA120D
- BSM200GA120
- BSM200GA4120DN
- BSM200GA100N11
- BSM200GA4120DN2
- BSM200GA100DN11
- BSM200GAL120D
- BSM200GA100DN1
- BSM200GAL120DL
- BSM200GA100D
- BSM200GAL120DLC
- BSM200G120DN2
- BSM200GAL120DN