选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IGBT |
55 |
23+ |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
只做进口原装正品,价格优惠,欢迎咨询 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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EUPEC模块 |
26 |
23+ |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市鹏华威电子有限公司6年
留言
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INFINEON只做进口原装 |
120 |
2019+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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Infineon/英飞凌 |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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模块原厂原封装 |
18000 |
23+ |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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INFINEON原装模块 |
368 |
20+ |
样品可出,原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SIEMENS模块 |
360 |
23+ |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
5590 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳中芯器材有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
1000 |
19+ |
进口原装现货欢迎询价 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
BSM200GA120DN2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSM200GA120DN2图片
BSM200GA120DN2价格
BSM200GA120DN2价格:¥814.6769品牌:Infineon
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更多BSM200GA120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA120DN2C功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA120DN2F功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA120DN2FS功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA120DN2FS_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA120DN2S功能描述:IGBT 晶体管 1200V 200A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BSM200GA120DN2S_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA120DN2SE325HOSA1制造商:Infineon Technologies AG