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BSH205G2R	文件：1.51392 Mbytes Page：4 Pages	丝印：WT1X；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet PWM applications Load switch Power management 文件：1.51392 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSH205G2R	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管（MOSFET）	Techpublic 台舟电子	Techpublic
BSH205G2	文件：743.25 Kbytes Page：16 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Low threshold voltage • Low on-state resistance • Trench MOSFET technology • Enhanced 文件：743.25 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSH205G2A	文件：277.15 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：277.15 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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更多BSH205G2R供应商更新时间2026-1-28 14:14:00