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BSM100GD120DN2

IGBT Chip in NPT-technology

文件:74.81 Kbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

BSM100GD120DN2

IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

文件:185.21 Kbytes 页数:9 Pages

SIEMENS

西门子

BSM100GD120DN2

IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

Infineon

英飞凌

BSM100GD120DN2BOSA1

IGBT Power Module

文件:303.62 Kbytes 页数:10 Pages

eupec

BSM100GD120DN2BDLA1

Package:模块;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MODULE 1200V

Infineon

英飞凌

BSM100GD120DN2BOSA1

Package:模块;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 150A 680W

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSM100GD120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模块 1200V 100A FL BRIDGE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EUPEC
08+
IGBT
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绝对全新原装强调只做全新原装现
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更多BSM100GD120DN2供应商 更新时间2025-11-22 10:32:00