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BSM150GB170DN2	文件：131.35 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBTPowerModule Preliminarydata •Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •RGon,min=10Ohm	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSM150GB170DN2	文件：332.66 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Power Module IGBTPowerModule •Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •RGon,min=10Ohm	eupec eupec GmbH	eupec
BSM150GB170DN2	文件：138.105 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT BSM150GB170DN2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM150GB170DN2E3166	文件：129.88 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area) IGBTPowerModule Preliminarydata •Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Enlargeddiodearea •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •RGon,min=10Ohm	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSM150GB170DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1700V 220A 1250W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM150GB170DN2
功能描述：
IGBT 模块 1700V 150A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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