| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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INFINEO模块 |
2000 |
2018+ |
全新原装真实库存含13点增值税票！ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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EUPECmodule |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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英飞凌IGBT |
3000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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Infineon/英飞凌 |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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InfineonLQFP |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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江苏芯钻时代电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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EUPECMODULE |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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EUPEC模块 |
300 |
2015 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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欧派克 |
120 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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INFINEON原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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EUPEC模块 |
3562 |
23+ |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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EUPEC模块 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
BSM150GB170DN2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSM150GB170DN2图片
BSM150GB170DN2价格
BSM150GB170DN2价格：￥1564.9908品牌：INF
生产厂家品牌为INF的BSM150GB170DN2多少钱，想知道BSM150GB170DN2价格是多少？参考价：￥1564.9908。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSM150GB170DN2批发价格及采购报价，BSM150GB170DN2销售排行榜及行情走势，BSM150GB170DN2报价。
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BSM150GB170DN2IGBT模块1700V150ADUAL
BSM150GB170DN2中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM150GB170DN2功能描述:IGBT 模块 1700V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM150GB170DN2_E3166功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 220A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM150GB170DN2_E3166c-Se功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
