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BSM120D12P2C005	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）功率模块使用罗姆公司生产SiC元件的半桥构成全SiC功率模块。 •Full SiC power module with SiC MOSFET and SiC SBD\n•High-speed switching and low switching loss\n•Ensured reliability of body diode conduction;	ROHM 罗姆	ROHM
BSM120D12P2C005	文件：939.06 Kbytes Page：11 Pages	SiC Power Module 文件：939.06 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BSM150GB170DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	INFINEO 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	INFINEO
BSM150GB60DLC	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	英飞凌 Infineon 上传：苏州银邦电子科技有限公司	英飞凌 Infineon
BSM150GT120DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	英飞凌 Infineon 上传：苏州银邦电子科技有限公司	英飞凌 Infineon

技术参数

封装：
C
包装数量：
12
最小独立包装数量：
12
包装形态：
Corrugated Cardboard
RoHS：
Yes
Drain-source Voltage[V]：
1200
Drain Current[A]：
134
Total Power Dissipation[W]：
935
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
125
Package：
Half bridge
Package Size [mm]：
122x45.6 (t=17.5)

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