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BSM180D12P2C101	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）功率模块使用罗姆公司生产SiC-DMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块。 •SiC MOSFET-only power module\n•High-speed switching and low switching loss\n•Ensured reliability of body diode conduction•Low body diode Qrr and trr;	ROHM 罗姆	ROHM
BSM180D12P2C101	文件：1.047339 Mbytes Page：11 Pages	SiC Power Module 文件：1.047339 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BSM200GA120DLC	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	西门康上传：苏州银邦电子科技有限公司	西门康
BSM200GA120DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	西门康上传：苏州银邦电子科技有限公司	西门康
BSM200GA120DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	英飞凌 Infineon 上传：苏州银邦电子科技有限公司	英飞凌 Infineon

技术参数

封装：
C
包装数量：
12
最小独立包装数量：
12
包装形态：
Tray
RoHS：
Yes
Drain-source Voltage[V]：
1200
Drain Current[A]：
204
Total Power Dissipation[W]：
1360
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
125
Package：
Half bridge
Package Size [mm]：
122x45.6 (t=17.5)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	BSM180D12P2C101	ROHM	25+	CTYPE	9500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多BSM180D12P2C101供应商更新时间2026-2-8 14:08:00

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