选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
|
INFINEON/英飞凌专营模块 |
1050 |
23+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
IGBT |
55 |
23+ |
||||
|
深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
|
EUPECIGBT模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市锦达世纪科技有限公司8年
留言
|
0 |
||||||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
Eupec模块 |
2560 |
23+ |
||||
|
深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
|
InfineonIGBT模块 |
500 |
15+ |
100%全新原装进口正品 主打产品价格优惠 本公司一般纳税人 可开17%增值税票! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
|
EUPEC6IGBT10A |
65000 |
2023+ |
现货原装正品公司优 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
eupec |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
|
EUPECDIP-28 |
18000 |
23+ |
||||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
EUPEC6IGBT10A1200 |
9960 |
23+ |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)AG-ECONO2-1 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
INFINEONMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
INFINEONMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
留言
|
原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
EUPEC模块 |
3562 |
23+ |
||||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
EUPEC |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
EUPEC10A/1200V/IG |
50 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
BSM10GD120DN2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSM10GD120DN2图片
BSM10GD120DN2价格
BSM10GD120DN2价格:¥274.6967品牌:INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的BSM10GD120DN2多少钱,想知道BSM10GD120DN2价格是多少?参考价:¥274.6967。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSM10GD120DN2批发价格及采购报价,BSM10GD120DN2销售排行榜及行情走势,BSM10GD120DN2报价。
BSM10GD120DN2资讯
BSM10GD120DN2E3224 IGBT晶体管模块
制造商INFINEON/英飞凌/InfineonTechnologies生产封装专营模块/模块的BSM10GD120DN2E3224晶体管-IGBT-模块绝缘栅双极晶体管(IGBT)是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,
BSM10GD120DN2 全新原装现货
BSM10GD120DN2深圳市赛尔通科技有限公司全新原装现货
BSM10GD120DN2E3224 上海铭静电子
BSM10GD120DN2E3224INFINEON10013+标准封装大量现货直销,现货 易先生021-31007118/QQ87115789/11059789
BSM10GD120DN2中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM10GD120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 10A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM10GD120DN2E3224功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: