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BST60	文件：329.14 Kbytes Page：9 Pages	丝印：BS1；Package：SOT89；PNP Darlington transistors FEATURES •High current (max. 0.5 A) •Low voltage (max. 80 V) •Integrated diode and resistor. APPLICATIONS •Industrial switching applications such as: –Print hammer –Solenoid –Relay and lamp driving. DESCRIPTION PNP Darlington transistor in a SOT89 plastic package. NPN complements: BS 文件：329.14 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BS1001-7R	文件：147.39 Kbytes Page：4 Pages	100 Watt DC-DC Converters Wide input voltage ranges from 8...385 V DC 1 or 2 isolated outputs up to 48 VDC 4 kV AC I/O electric strengh test voltage • Rugged electrical and mechanical design • Fully isolated outputs • Operating ambient temperature range –40...71°C with convection cooling 文件：147.39 Kbytes 页数：4 Pages	POWER-ONE	POWER-ONE
BS107	文件：77.84 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) SIPMOS® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = 0.8...2.0V 文件：77.84 Kbytes 页数：7 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BS107	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：52.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mA, 200 V, N−Channel TO−92 Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This is a Pb−Free Device* 文件：61.72 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107	文件：65.099 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching 文件：65.099 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BS107	文件：61.91 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR Features • High Breakdown Voltage • High Input Impedance • Fast Switching Speed • Specially Suited for Telephone Subsets 文件：61.91 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS107	文件：76.19 Kbytes Page：4 Pages	TMOS Switching(N-Channel-Enhancement) TMOS Switching N–Channel — Enhancement 文件：76.19 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BS107	文件：109.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors 文件：109.43 Kbytes 页数：4 Pages	TEMIC	TEMIC
BS107A	文件：76.19 Kbytes Page：4 Pages	TMOS Switching(N-Channel-Enhancement) TMOS Switching N–Channel — Enhancement 文件：76.19 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

晶体管资料

型号：
BST60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
350MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1048,2SD1470,2SD1472,2SD1511,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>2000
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
350000000
atest：
1.5
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
hFE [min]：
2000
toff (ns)：
700
fT [min] (MHz)：
200
Polarity：
PNP
IC [max] (mA)：
500
VCES [max] (V)：
45
Ptot [max] (mW)：
1300
Complement：
BST50
hFE [max]：
>2000
Automotive qualified：
Y

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