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BS107	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：52.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107	文件：77.84 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) SIPMOS® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = 0.8...2.0V 文件：77.84 Kbytes 页数：7 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BS107A	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：52.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107A	文件：99.93 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N.Channel TO.92 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：99.93 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107A	文件：49.7 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching 文件：49.7 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BS107A	文件：76.19 Kbytes Page：4 Pages	TMOS Switching(N-Channel-Enhancement) TMOS Switching N–Channel — Enhancement 文件：76.19 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BS107A_V01	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mA, 200 V, N−Channel TO−92 Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This is a Pb−Free Device* 文件：61.72 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107ARL1	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：52.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107ARL1G	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mA, 200 V, N−Channel TO−92 Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This is a Pb−Free Device* 文件：61.72 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107ARL1G	文件：99.93 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N.Channel TO.92 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：99.93 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
hFE [min]：
2000
toff (ns)：
700
fT [min] (MHz)：
200
Polarity：
PNP
IC [max] (mA)：
500
VCES [max] (V)：
45
Ptot [max] (mW)：
1300
Complement：
BST50
hFE [max]：
>2000
Automotive qualified：
Y

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BST60	NEXPERIA/安世	25+	SOT-89	20300	NEXPERIA/安世原装特价BST60即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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