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BS107RLRA	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts N-ChannelTO-92 Features •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108	文件：58.88 Kbytes Page：4 Pages	200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL LogicLevelTMOS N–ChannelEnhancementMode ThisTMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. •LowDriveRequirement,VGS=3	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BS108	文件：56.77 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speed	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS108	文件：227.58 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (N-Channel) FEATURES ♦Highbreakdownvoltage ♦Highinputimpedance ♦Lowgatethresholdvoltage ♦Lowdrain-sourceONresistance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown ♦Speciallysui	GE GE Industrial Company	GE
BS108	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108G	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108ZL1	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108ZL1G	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS112	文件：132.74 Kbytes Page：3 Pages	WIDE WAVELENGTH BAND TYPE PHOTODIODE BlueSensitivePhotodiodes	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
BS115	文件：90.77 Kbytes Page：2 Pages	CAN PACKAGE PHOTODIODE FOR VISIBLE LIGHT CanPackagePhotodiodeforVisibleLight Applications 1.LCDbacklightmonitor 2.Exposuremeter	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

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详细参数

型号：
BS1
功能描述：
EURO-CASSETTE 100W 5.1V
RoHS：
否
类别：
电源 - 外部/内部（非板载） >> DC DC Converters
系列：
*
标准包装：
1
系列：
Quint
类型：
隔离
输入电压：
24V
输出：
24V
输出数：
1 输出 - 1 @
电流（最大）：
24 VDC @ 50A 输出 - 2 @
电流（最大）：
- 输出 - 3 @
电流（最大）：
- 输出 - 4 @
电流（最大）：
-
功率（瓦特）：
1200W
安装类型：
底座安装
工作温度：
0°C ~ 40°C
效率：
-
封装/外壳：
模块
尺寸/尺寸：
4.33 L x 9.09 W x 6.14 H（110mm x 231mm x 156mm）
包装：
散装电源（瓦特）-
最大：
1200W
批准：
-
其它名称：
277-69722866365-NDQUINT-BAT/24DC/12AH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BS1001-7R	POWER ONE	25+	全新-电源模块	10238	POWER ONE电源模块BS1001-7R交期短价格好#即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BS1001-7RT	POWER-ONE	23+	SIPDIP	56688	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	BS1004CDSU101KT	KINGCORE	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

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