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BS107	文件：76.19 Kbytes Page：4 Pages	TMOS Switching(N-Channel-Enhancement) TMOSSwitching N–Channel—Enhancement	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BS107	文件：65.099 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS107	文件：77.84 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BS107	文件：61.91 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR Features •HighBreakdownVoltage •HighInputImpedance •FastSwitchingSpeed •SpeciallySuitedforTelephoneSubsets	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BS107	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts N-ChannelTO-92 Features •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS107	文件：109.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
BS107	文件：56.47 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS107	文件：71.89 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS107	文件：87.03 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs	SYC SYC Electronica	SYC
BS107	文件：45.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
BS107
功能描述：
MOSFET 200V 250mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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