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BS107	文件：71.89 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts 文件：71.89 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107A	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BS107A；Package：TO-92；Small Signal MOSFET 250 mA, 200 V, N−Channel TO−92 Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This is a Pb−Free Device* 文件：61.72 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BS107A	文件：49.7 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching 文件：49.7 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BS107A	文件：76.19 Kbytes Page：4 Pages	TMOS Switching(N-Channel-Enhancement) TMOS Switching N–Channel — Enhancement 文件：76.19 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BS107A	文件：99.93 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N.Channel TO.92 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：99.93 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107A	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：52.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107A_V01	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mA, 200 V, N−Channel TO−92 Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This is a Pb−Free Device* 文件：61.72 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107ARL1	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features • Pb−Free Package is Available* 文件：52.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BS107ARL1G	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mA, 200 V, N−Channel TO−92 Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This is a Pb−Free Device* 文件：61.72 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
200 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.12 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
30000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
23000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
2.7 nC
Packages：
E-Line

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更多BS107供应商更新时间2025-12-2 9:38:00

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