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厂商型号	BS107
功能描述	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
文件大小	65.099 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	PHI
中文名称	飞利浦
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2026-1-31 22:59:00
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DESCRIPTION

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers.

FEATURES

• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.

• High-speed switching

• No secondary breakdown.

产品属性

型号：
BS107
功能描述：
MOSFET 200V 250mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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