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BDW60	文件：114.66 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector–Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -45V- BDW56 = -60V- BDW58 = -80V- BDW60 • Complement to Type BDW55/57/59 APPLICATIONS • Designed for use in professional equipment such as telecommunication and etc. 文件：114.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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BDX33C其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

晶体管资料

型号：
BDW60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

详细参数

型号：
BDW60
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon PNP Power Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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