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BC858W	文件：163.9 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC846W,BC847WandBC848W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC858W	文件：91.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE30/45/65VoltsCURRENT200mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Complimentary(NPN)Devices:BC846W/BC847W/BC848W/BC849WSeries •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC858W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858W	文件：870.05 Kbytes Page：5 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC858W	文件：163.9 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC858W	文件：356.94 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC858W	文件：1.18177 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
BC858CDW
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC858CDW供应商更新时间2025-5-23 16:30:00

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