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BC858CW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC858F	文件：40.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. NPNcomplements:BC846F,BC847FandBC848Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC858F	文件：91.87 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-55V •ComplementarypairwithBC846F	AUK AUK corp	AUK
BC858F	文件：284.75 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-55V •ComplementarypairwithBC846F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC858-HF	文件：163.09 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor RoHSDevice HalogenFree Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -Powerdissipation PCM:0.25W(@TA=25°C) -Lowcurrent.(max.100mA) -Collector-basevoltage VCBO:BC856=-80V BC857=-50V BC858=-30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC858S	文件：73.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858S	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858S	文件：488.12 Kbytes Page：2 Pages	Powerdissipation,plasticcase,Weightapprox SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC858U	文件：92.02 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-30V •ComplementarypairwithBC848U	AUK AUK corp	AUK
BC858U	文件：275.12 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-30V •ComplementarypairwithBC848U	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

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详细参数

型号：
BC858CDW
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BC858CDW	ON/ONSemiconductor/安森	24+	SOT-363SOT-323-6	57200	新进库存/原装	询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	BC858CDW1T1	ON	23+	SC70-6	450	专营高频管模块,全新原装!	询价
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更多BC858CDW供应商更新时间2025-5-24 16:30:00

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