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BC858CDW1T1_ONSEMI/安森美半导体_两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP弘为电子旺铺
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号
:BC858CDW1T1
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:100mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:30V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:15nA(ICBO)
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:420 @ 2mA,5V
- 功率 - 最大值
:380mW
- 频率 - 跃迁
:100MHz
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装
:SC-88/SC70-6/SOT-363
供应商
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