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STB3NK60ZT4	文件：936.59 Kbytes Page：34 Pages	丝印：B3NK60Z；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 3.2 Ω typ., 2.4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in D²PAK, IPAK, DPAK, TO-220 and TO-220FP packages Description These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure 文件：936.59 Kbytes 页数：34 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
B3N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多B3N供应商更新时间2025-12-26 8:31:00

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