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9N150	文件：258.99 Kbytes Page：12 Pages	型号：STW9N150；Package：TO-247；N-channel 1500 V - 1.8 Ω - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET Features ■100%avalanchetested ■Avalancheruggedness ■Gatechargeminimized ■Verylowintrinsiccapacitances ■Highspeedswitching ■Verylowon-resistance Application ■Switchingapplications Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESH OVERLAY™process,STMi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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9N150

文件：258.99 Kbytes

Page：12 Pages

型号：STW9N150；Package：TO-247；N-channel 1500 V - 1.8 Ω - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

Features ■100%avalanchetested ■Avalancheruggedness ■Gatechargeminimized ■Verylowintrinsiccapacitances ■Highspeedswitching ■Verylowon-resistance Application ■Switchingapplications Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESH OVERLAY™process,STMi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
9N150
功能描述：
MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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