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IPD90R1K2C3	文件：368.95 Kbytes Page：10 Pages	丝印：9R1K2C；Package：PG-TO252；CoolMOS™ Power Transistor Features Lowest figure-of-merit RON x Qg Extreme dv/dt rated High peak current capability Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Pb-free lead plating; RoHS compliant,available in Halogen free mold compound Ultra low gate charge 文件：368.95 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
9R1K2C	文件：340.93 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS Power Transistor Features • Lowest figure-of-merit RON x Qg • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge CoolMOS™ 900V is designed for: • Quasi Resonant Flyback / Forward topologi 文件：340.93 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多9R1K2C供应商更新时间2025-8-13 9:11:00