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PSMN9R3-60HS	文件：325.64 Kbytes Page：12 Pages	Marking：9R3S60H；Package：LFPAK56D；N-channel 60 V, 9.3 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •DualMOSFET •Repetitiveavalancherated •HighreliabilityLFPAK56Dpackage •Copper-clip,solderdieattach •Qualifiedto175°C Appl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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Marking：9R3S60H；Package：LFPAK56D；N-channel 60 V, 9.3 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology

Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •DualMOSFET •Repetitiveavalancherated •HighreliabilityLFPAK56Dpackage •Copper-clip,solderdieattach •Qualifiedto175°C Appl

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更多9R3S60H供应商更新时间2025-5-24 9:01:00

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