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PSMN9R3-60HS	文件：325.64 Kbytes Page：12 Pages	丝印：9R3S60H；Package：LFPAK56D；N-channel 60 V, 9.3 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology General description Dual standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. Features and benefits • Dual MOSFET • Repetitive avalanche rated • High reliability LFPAK56D package • Copper-clip, solder die attach • Qualified to 175 °C Appl 文件：325.64 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN9R3-60HS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 60 V, 9.3 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology Dual standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. • Dual MOSFET\n• Repetitive avalanche rated\n• High reliability LFPAK56D package\n• Copper-clip, solder die attach\n• Qualified to 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
PSR05-LF-T7	文件：0 bytes Page：0 Pages	PROTEK SOT143	Protek 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	Protek
PSR400ITQFH1L00	文件：0 bytes Page：0 Pages	ROHM 3921	ROHM 罗姆上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ROHM
PSR75-12A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI	TI 德州仪器上传：深圳市安富世纪电子有限公司	TI

技术参数

Package name：
LFPAK56D; Dual LFPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
9.3
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
40
QGD [typ] (nC)：
11
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
34.2
Ptot [max] (W)：
68
Qr [typ] (nC)：
24
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1761
Coss [typ] (pF)：
247
Release date：
2022-09-26

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PSMN9R3-60HSX	Nexperia USA Inc.	25+	SOT-1205 8-LFPAK56	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多PSMN9R3-60HS供应商更新时间2025-10-10 9:32:00

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