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80N3LL	文件：778.69 Kbytes Page：15 Pages	型号：STD80N3LL；Package：DPAK；N-channel 30 V, 4 mΩ typ., 80 A Power MOSFET in a DPAK package Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETwith verylowRDS(on)inallpackages.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
80N3LLH6	文件：874.85 Kbytes Page：13 Pages	型号：STL80N3LLH6；Package：PowerFLAT5x6；N-channel 30 V, 0.0046, 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness ■Lowgatedrivepowerlosses ■Verylowswitchinggatecharge Application ■Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe6t	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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80N3LL

文件：778.69 Kbytes

Page：15 Pages

型号：STD80N3LL；Package：DPAK；N-channel 30 V, 4 mΩ typ., 80 A Power MOSFET in a DPAK package

Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETwith verylowRDS(on)inallpackages.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

80N3LLH6

文件：874.85 Kbytes

Page：13 Pages

型号：STL80N3LLH6；Package：PowerFLAT5x6；N-channel 30 V, 0.0046, 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness ■Lowgatedrivepowerlosses ■Verylowswitchinggatecharge Application ■Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe6t

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
80N3LL
功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 0.0046 Ohm 21A STripFET VI Deep
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多80N3LL供应商更新时间2025-8-3 14:14:00

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