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STL80N3LLH6	文件：874.85 Kbytes Page：13 Pages	丝印：80N3LLH6；Package：PowerFLAT5x6；N-channel 30 V, 0.0046, 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ High avalanche ruggedness ■ Low gate drive power losses ■ Very low switching gate charge Application ■ Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6t 文件：874.85 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多80N3LLH6供应商更新时间2025-11-4 14:14:00