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STL80N3LLH6

丝印:80N3LLH6;Package:PowerFLAT5x6;N-channel 30 V, 0.0046, 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

Features ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ High avalanche ruggedness ■ Low gate drive power losses ■ Very low switching gate charge Application ■ Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6t

文件:874.85 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    80N3LLH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 0.0046 Ohm 21A STripFET VI Deep

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多80N3LLH6供应商 更新时间2025-9-15 15:06:00