丝印：80N60；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Super Trench Power MOSFET

General Features VDS =60V,ID =80A RDS(ON)

文件：402.83 Kbytes 页数：8 Pages

RECTRON

丽正国际

丝印：80N60；Package：TO-252-2L；Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS =60V,ID =80A RDS(ON)

文件：330.27 Kbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丽正国际

HiPerFAST IGBT

文件：41.32 Kbytes 页数：2 Pages

IXYS

艾赛斯

High Current IGBT

文件：45.33 Kbytes 页数：2 Pages

IXYS

艾赛斯