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65R048M1	文件：1.50875 Mbytes Page：15 Pages	型号：IMT65R048M1H；Package：PG-HSOF-8；MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf •Superiorgateoxidereliability •Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatib	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
65R048M1	文件：1.59553 Mbytes Page：15 Pages	型号：IMBG65R048M1H；Package：PG-TO263-7-12；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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更多65R048M1供应商更新时间2025-7-29 11:01:00