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IMW65R048M1H	文件：1.47512 Mbytes Page：15 Pages	丝印：65R048M1；Package：PG-TO247-3；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IMW65R048M1H	文件：300 bytes Page：1 Pages	CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IMW65R048M1HXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IMBG65R048M1H	文件：1.59553 Mbytes Page：15 Pages	650VCoolSiC짧M1SiCTrenchPowerDevice	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IMT65R048M1H	文件：1.50875 Mbytes Page：15 Pages	MOSFET650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf •Superiorgateoxidereliability •Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatib	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IMZA65R048M1H	文件：1.48925 Mbytes Page：15 Pages	650VCoolSiC짧M1SiCTrenchPowerDevice	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

OPN：
IMW65R048M1HXKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO247-3
VDS max：
650 V
ID @25°C max：
39 A
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
Technology：
CoolSiC™ M1H

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