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IMW65R048M1H数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
IMW65R048M1H |
| 参数属性 | IMW65R048M1H 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| 功能描述 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 20:00:00 |
| 人工找货 | IMW65R048M1H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IMW65R048M1H规格书详情
简介
IMW65R048M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IMW65R048M1H晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：IMW65R048M1H
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IMW65R048M1HXKSA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO247-3
- VDS max
：650 V
- ID @25°C max
：39 A
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：150 °C
- Technology
：CoolSiC™ M1H
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO247-3 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
INFINEON |
2年内 |
T0-247 |
16500 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-247 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
27090 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2022+ |
PG-TO247-3 |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25630 |
原装正品 |
询价 |
