IMW120R014M1H中文资料CoolSiC ™ 1200 V、14 mΩ SiC 沟槽 MOSFET，采用 TO247-3 封装数据手册Infineon规格书

厂商型号	IMW120R014M1H
功能描述	CoolSiC ™ 1200 V、14 mΩ SiC 沟槽 MOSFET，采用 TO247-3 封装
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-11-15 16:38:00
人工找货	IMW120R014M1H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

优势:
• Highest efficiency
• Reduced cooling effort
• Higher frequency operation
• Increased power density
• Reduced system complexity

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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