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IMW65R027M1H中文资料CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IMW65R027M1H

参数属性

IMW65R027M1H 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

功能描述

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:01:00

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IMW65R027M1H规格书详情

简介

IMW65R027M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IMW65R027M1H晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IMW65R027M1H

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IMW65R027M1HXKSA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO247-3

  • VDS max

    :650 V

  • ID @25°C max

    :47 A

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • Technology

    :CoolSiC™ M1H

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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