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IMW65R048M1H分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IMW65R048M1H |
| 参数属性 | IMW65R048M1H 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO247-3 |
| 文件大小 |
1.47512 Mbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 12:00:00 |
| 人工找货 | IMW65R048M1H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IMW65R048M1H规格书详情
IMW65R048M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IMW65R048M1H晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
更多- 产品编号：
IMW65R048M1HXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
39A（Tc）
- 描述：
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
2511 |
TO-247 |
9550 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
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Infineon/英飞凌 |
2022+ |
PG-TO247-3 |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
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Infineon |
24+ |
PG-TO247-3 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
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ADI |
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