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65R140D2	文件：1.06747 Mbytes Page：14 Pages	型号：IGLD65R140D2；Package：PG-LSON-8；CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor Features •Enhancementmodetransistor‑NormallyOFFswitch •Ultrafastswitching •Noreverse‑recoverycharge •Capableofreverseconduction •Lowgatecharge,lowoutputcharge •Superiorcommutationruggedness •ESD(HBM/CDM)JEDECstandards Benefits •Improvessystemefficiency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
65R140D2	文件：1.45126 Mbytes Page：16 Pages	型号：IGT65R140D2；Package：PG-HSOF-8；CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor Features •Enhancementmodetransistor‑NormallyOFFswitch •Ultrafastswitching •Noreverse‑recoverycharge •Capableofreverseconduction •Lowgatecharge,lowoutputcharge •Superiorcommutationruggedness •ESD(HBM/CDM)JEDECstandards Benefits •Improvessystemefficiency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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型号：IGLD65R140D2；Package：PG-LSON-8；CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor

Features •Enhancementmodetransistor‑NormallyOFFswitch •Ultrafastswitching •Noreverse‑recoverycharge •Capableofreverseconduction •Lowgatecharge,lowoutputcharge •Superiorcommutationruggedness •ESD(HBM/CDM)JEDECstandards Benefits •Improvessystemefficiency

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65R140D2

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型号：IGT65R140D2；Package：PG-HSOF-8；CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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更多65R140D2供应商更新时间2025-7-28 15:20:00

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