| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：65R022M1；Package：PG-HSOF-8；MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf •Superiorgateoxidereliability •Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatib | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：65R022M1；Package：PG-TO263-7-12；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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