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IMT65R022M1H分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IMT65R022M1H |
| 参数属性 | IMT65R022M1H 封装/外壳为8-PowerSFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：SILICON CARBIDE MOSFET |
| 功能描述 | MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
1.52403 Mbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-23 19:10:00 |
| 人工找货 | IMT65R022M1H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IMT65R022M1H规格书详情
IMT65R022M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IMT65R022M1H晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
Features
• Optimized switching behavior at higher currents
• Commutation robust fast body diode with low Qf
• Superior gate oxide reliability
• Tj,max=175°C and excellent thermal behavior
• Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature
• Increased avalanche capability
• Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)
• Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses
产品属性
更多- 产品编号：
IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
CoolSiC™
- 包装：
管件
- 技术：
SiC（碳化硅结晶体管）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
18V
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PG-HSOF-8-1
- 封装/外壳：
8-PowerSFN
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
PG-HSOF-8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
N/A |
24+ |
NA |
990000 |
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NANOTEC |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
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Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
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IMT |
DIP |
1000 |
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Infineon(英飞凌) |
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IMT |
DIP |
3350 |
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nanotec |
24+ |
500000 |
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NANOTEC |
23+ |
ZIP25 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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Nanotec |
18+ |
ZIP-25 |
85600 |
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询价 |
